CUHS20F30,H3F
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| Teilenummer | CUHS20F30,H3F |
| PNEDA Teilenummer | CUHS20F30-H3F |
| Beschreibung | SCHOTTKY BARRIER DIODE, 30V/2A, |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 59.562 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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CUHS20F30 Ressourcen
| Marke | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | CUHS20F30,H3F |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
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CUHS20F30 Technische Daten
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | - |
| Diodentyp | Schottky |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 30V |
| Current - Average Rectified (Io) | 2A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 470mV @ 2A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 60µA @ 30V |
| Kapazität @ Vr, F. | 380pF @ 0V, 1MHz |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 2-SMD, Flat Lead |
| Lieferantengerätepaket | US2H |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | 150°C (Max) |
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Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 800V Current - Average Rectified (Io) 8A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.85V @ 20A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 145ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 10µA @ 800V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-2 Lieferantengerätepaket TO-220AC Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 150°C |
