CUS10F30,H3F
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| Teilenummer | CUS10F30,H3F |
| PNEDA Teilenummer | CUS10F30-H3F |
| Beschreibung | DIODE SCHOTTKY 30V 1A USC |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.132 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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CUS10F30 Ressourcen
| Marke | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | CUS10F30,H3F |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
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CUS10F30 Technische Daten
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | - |
| Diodentyp | Schottky |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 30V |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 500mV @ 1A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 50µA @ 30V |
| Kapazität @ Vr, F. | 170pF @ 0V, 1MHz |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SC-76, SOD-323 |
| Lieferantengerätepaket | USC |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | 125°C (Max) |
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Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 100V Current - Average Rectified (Io) 1A (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 770mV @ 1A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 1µA @ 100V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall Die Lieferantengerätepaket Die Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 175°C |
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