Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

CY62127DV30L-55BVXE

CY62127DV30L-55BVXE

Nur als Referenz

Teilenummer CY62127DV30L-55BVXE
PNEDA Teilenummer CY62127DV30L-55BVXE
Beschreibung IC SRAM 1M PARALLEL 48VFBGA
Hersteller Cypress Semiconductor
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 7.740
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jun 14 - Jun 19 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

CY62127DV30L-55BVXE Ressourcen

Marke Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCY62127DV30L-55BVXE
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
CY62127DV30L-55BVXE, CY62127DV30L-55BVXE Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 548,91 KB)
PDFCY62127DV30LL-55BVXIT Datenblatt Cover
CY62127DV30LL-55BVXIT Datenblatt Seite 2 CY62127DV30LL-55BVXIT Datenblatt Seite 3 CY62127DV30LL-55BVXIT Datenblatt Seite 4 CY62127DV30LL-55BVXIT Datenblatt Seite 5 CY62127DV30LL-55BVXIT Datenblatt Seite 6 CY62127DV30LL-55BVXIT Datenblatt Seite 7 CY62127DV30LL-55BVXIT Datenblatt Seite 8 CY62127DV30LL-55BVXIT Datenblatt Seite 9 CY62127DV30LL-55BVXIT Datenblatt Seite 10 CY62127DV30LL-55BVXIT Datenblatt Seite 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • CY62127DV30L-55BVXE Datasheet
  • where to find CY62127DV30L-55BVXE
  • Cypress Semiconductor

  • Cypress Semiconductor CY62127DV30L-55BVXE
  • CY62127DV30L-55BVXE PDF Datasheet
  • CY62127DV30L-55BVXE Stock

  • CY62127DV30L-55BVXE Pinout
  • Datasheet CY62127DV30L-55BVXE
  • CY62127DV30L-55BVXE Supplier

  • Cypress Semiconductor Distributor
  • CY62127DV30L-55BVXE Price
  • CY62127DV30L-55BVXE Distributor

CY62127DV30L-55BVXE Technische Daten

HerstellerCypress Semiconductor Corp
SerieMoBL®
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Asynchronous
Speichergröße1Mb (64K x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite55ns
Zugriffszeit55ns
Spannung - Versorgung2.2V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall48-VFBGA
Lieferantengerätepaket48-VFBGA (6x8)

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

IS62WV12816BLL-55B2LI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

2Mb (128K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

55ns

Zugriffszeit

55ns

Spannung - Versorgung

2.5V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

48-TFBGA

Lieferantengerätepaket

48-miniBGA (6x8)

IS49NLS18160-25B

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

DRAM

Speichergröße

288Mb (16M x 18)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

400MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

144-TFBGA

Lieferantengerätepaket

144-FCBGA (11x18.5)

70V631S10PRFI8

IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Speichergröße

4.5Mb (256K x 18)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

10ns

Zugriffszeit

10ns

Spannung - Versorgung

3.15V ~ 3.45V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

128-LQFP

Lieferantengerätepaket

128-TQFP (14x20)

IS45S16800E-7TLA1-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM

Speichergröße

128Mb (8M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

143MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

5.4ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Lieferantengerätepaket

54-TSOP II

EM6GE16EWXD-10IH

Etron Technology, Inc.

Hersteller

Etron Technology, Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - DDR3

Speichergröße

4Gb (256M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

933MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

1.425V ~ 1.575V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 95°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

96-TFBGA

Lieferantengerätepaket

96-FBGA (9x13)

Kürzlich verkauft

IXBT12N300HV

IXBT12N300HV

IXYS

IGBT 3000V 30A 160W TO268

MCH3478-TL-W

MCH3478-TL-W

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 30V 2A MCPH3

SML-310MTT86

SML-310MTT86

Rohm Semiconductor

LED GREEN CLEAR 0603 SMD

BAS516,115

BAS516,115

Nexperia

DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD523

ACPL-247-500E

ACPL-247-500E

Broadcom

OPTOISO 3KV 4CH TRANS 16SOIC

ABM8-166-114.285MHZ-T2

ABM8-166-114.285MHZ-T2

Abracon

CRYSTAL 114.2850MHZ 18PF SMD

ISL21010CFH325Z-TK

ISL21010CFH325Z-TK

Renesas Electronics America Inc.

IC VREF SERIES 2.5V SOT23-3

IRFP150N

IRFP150N

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 100V 42A TO-247AC

M48T59Y-70PC1

M48T59Y-70PC1

STMicroelectronics

IC RTC CLK/CALENDAR PAR 28DIP

TLJT107M010R0900

TLJT107M010R0900

CAP TANT 100UF 20% 10V 1411

MAX1853EXT

MAX1853EXT

Maxim Integrated

IC REG CHARGE PUMP INV SC70-6

CAT28C64BLI90

CAT28C64BLI90

ON Semiconductor

IC EEPROM 64K PARALLEL 28DIP