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CY62167DV18LL-55BVXI

CY62167DV18LL-55BVXI

Nur als Referenz

Teilenummer CY62167DV18LL-55BVXI
PNEDA Teilenummer CY62167DV18LL-55BVXI
Beschreibung IC SRAM 16M PARALLEL 48VFBGA
Hersteller Cypress Semiconductor
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Auf Lager 2.916
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

CY62167DV18LL-55BVXI Ressourcen

Marke Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCY62167DV18LL-55BVXI
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
CY62167DV18LL-55BVXI, CY62167DV18LL-55BVXI Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 558,23 KB)
PDFCY62167DV18LL-55BVXIT Datenblatt Cover
CY62167DV18LL-55BVXIT Datenblatt Seite 2 CY62167DV18LL-55BVXIT Datenblatt Seite 3 CY62167DV18LL-55BVXIT Datenblatt Seite 4 CY62167DV18LL-55BVXIT Datenblatt Seite 5 CY62167DV18LL-55BVXIT Datenblatt Seite 6 CY62167DV18LL-55BVXIT Datenblatt Seite 7 CY62167DV18LL-55BVXIT Datenblatt Seite 8 CY62167DV18LL-55BVXIT Datenblatt Seite 9 CY62167DV18LL-55BVXIT Datenblatt Seite 10 CY62167DV18LL-55BVXIT Datenblatt Seite 11

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CY62167DV18LL-55BVXI Technische Daten

HerstellerCypress Semiconductor Corp
SerieMoBL®
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Asynchronous
Speichergröße16Mb (1M x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite55ns
Zugriffszeit55ns
Spannung - Versorgung1.65V ~ 2.25V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall48-VFBGA
Lieferantengerätepaket48-VFBGA (6x8)

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

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Speichertyp

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Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

52MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

100ns

Zugriffszeit

100ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 2V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

256Kb (32K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

70ns

Zugriffszeit

70ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

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Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Speichergröße

4.5Mb (128K x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

15ns

Spannung - Versorgung

3.15V ~ 3.45V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

256-LBGA

Lieferantengerätepaket

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BR24S16NUX-WTR

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

16Kb (2K x 8)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

400kHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH

Speichergröße

16Mb (528 Bytes x 4096 pages)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

15MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

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