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CY62168DV30LL-55BVXI

CY62168DV30LL-55BVXI

Nur als Referenz

Teilenummer CY62168DV30LL-55BVXI
PNEDA Teilenummer CY62168DV30LL-55BVXI
Beschreibung IC SRAM 16M PARALLEL 48VFBGA
Hersteller Cypress Semiconductor
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Auf Lager 3.528
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

CY62168DV30LL-55BVXI Ressourcen

Marke Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCY62168DV30LL-55BVXI
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
CY62168DV30LL-55BVXI, CY62168DV30LL-55BVXI Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 299,03 KB)
PDFCY62168DV30LL-55BVXIT Datenblatt Cover
CY62168DV30LL-55BVXIT Datenblatt Seite 2 CY62168DV30LL-55BVXIT Datenblatt Seite 3 CY62168DV30LL-55BVXIT Datenblatt Seite 4 CY62168DV30LL-55BVXIT Datenblatt Seite 5 CY62168DV30LL-55BVXIT Datenblatt Seite 6 CY62168DV30LL-55BVXIT Datenblatt Seite 7 CY62168DV30LL-55BVXIT Datenblatt Seite 8 CY62168DV30LL-55BVXIT Datenblatt Seite 9

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CY62168DV30LL-55BVXI Technische Daten

HerstellerCypress Semiconductor Corp
SerieMoBL®
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Asynchronous
Speichergröße16Mb (2M x 8)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite55ns
Zugriffszeit55ns
Spannung - Versorgung2.2V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall48-VFBGA
Lieferantengerätepaket48-VFBGA (8x9.5)

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Hersteller

Maxim Integrated

Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

NVSRAM

Technologie

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Speichergröße

16Kb (2K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

100ns

Zugriffszeit

100ns

Spannung - Versorgung

4.75V ~ 5.25V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

1Mb (128K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

20ns

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NAND

Speichergröße

2Gb (256M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

45ns

Zugriffszeit

45ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.95V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

48-TSOP

71V65803S150PFG8

IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

Speichergröße

9Mb (512K x 18)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

150MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

3.8ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.465V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

100-LQFP

Lieferantengerätepaket

100-TQFP (14x14)

CY7C1347S-166AXCT

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR

Speichergröße

4.5Mb (128K x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

166MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

3.5ns

Spannung - Versorgung

3.15V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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