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CY62256LL-55SNXIT

CY62256LL-55SNXIT

Nur als Referenz

Teilenummer CY62256LL-55SNXIT
PNEDA Teilenummer CY62256LL-55SNXIT
Beschreibung IC SRAM 256K PARALLEL 28SOIC
Hersteller Cypress Semiconductor
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Auf Lager 6.912
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jul 20 - Jul 25 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

CY62256LL-55SNXIT Ressourcen

Marke Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCY62256LL-55SNXIT
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
CY62256LL-55SNXIT, CY62256LL-55SNXIT Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 323,67 KB)
PDFCY62256LL-70ZXIT Datenblatt Cover
CY62256LL-70ZXIT Datenblatt Seite 2 CY62256LL-70ZXIT Datenblatt Seite 3 CY62256LL-70ZXIT Datenblatt Seite 4 CY62256LL-70ZXIT Datenblatt Seite 5 CY62256LL-70ZXIT Datenblatt Seite 6 CY62256LL-70ZXIT Datenblatt Seite 7 CY62256LL-70ZXIT Datenblatt Seite 8 CY62256LL-70ZXIT Datenblatt Seite 9 CY62256LL-70ZXIT Datenblatt Seite 10 CY62256LL-70ZXIT Datenblatt Seite 11

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CY62256LL-55SNXIT Technische Daten

HerstellerCypress Semiconductor Corp
SerieMoBL®
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Asynchronous
Speichergröße256Kb (32K x 8)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite55ns
Zugriffszeit55ns
Spannung - Versorgung4.5V ~ 5.5V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Lieferantengerätepaket28-SOIC

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

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Taktfrequenz

120MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

700µs

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

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Speichergröße

512Mb (16M x 32)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

200MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

5ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.95V

Betriebstemperatur

-25°C ~ 85°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

256Mb (16M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

60ns

Zugriffszeit

100ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR

Speichergröße

4.5Mb (128K x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

183MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

3.3ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.465V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

*

Speichertyp

-

Speicherformat

-

Technologie

-

Speichergröße

-

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

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Paket / Fall

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