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CY7C1020CV33-15ZC

CY7C1020CV33-15ZC

Nur als Referenz

Teilenummer CY7C1020CV33-15ZC
PNEDA Teilenummer CY7C1020CV33-15ZC
Beschreibung IC SRAM 512K PARALLEL 44TSOP II
Hersteller Cypress Semiconductor
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Auf Lager 7.470
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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CY7C1020CV33-15ZC Ressourcen

Marke Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCY7C1020CV33-15ZC
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
CY7C1020CV33-15ZC, CY7C1020CV33-15ZC Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 272,31 KB)
PDFCY7C1020CV33-10ZXCT Datenblatt Cover
CY7C1020CV33-10ZXCT Datenblatt Seite 2 CY7C1020CV33-10ZXCT Datenblatt Seite 3 CY7C1020CV33-10ZXCT Datenblatt Seite 4 CY7C1020CV33-10ZXCT Datenblatt Seite 5 CY7C1020CV33-10ZXCT Datenblatt Seite 6 CY7C1020CV33-10ZXCT Datenblatt Seite 7 CY7C1020CV33-10ZXCT Datenblatt Seite 8 CY7C1020CV33-10ZXCT Datenblatt Seite 9

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CY7C1020CV33-15ZC Technische Daten

HerstellerCypress Semiconductor Corp
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Asynchronous
Speichergröße512Kb (32K x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite15ns
Zugriffszeit15ns
Spannung - Versorgung3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Lieferantengerätepaket44-TSOP II

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Speichertyp

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Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

70ns

Zugriffszeit

70ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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W9751G6KB-18 TR

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Hersteller

Winbond Electronics

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - DDR2

Speichergröße

512Mb (32M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

533MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

350ps

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

0°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Speichergröße

1.152Mb (32K x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

12ns

Zugriffszeit

12ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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172-FBGA (15x15)

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Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - Mobile LPDDR3

Speichergröße

16Gb (256M x 64)

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

933MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.2V

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

216-WFBGA

Lieferantengerätepaket

216-FBGA (15x15)

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Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Speichergröße

128Kb (16K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

25ns

Zugriffszeit

25ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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