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CY7C10211BN-10ZXCT

CY7C10211BN-10ZXCT

Nur als Referenz

Teilenummer CY7C10211BN-10ZXCT
PNEDA Teilenummer CY7C10211BN-10ZXCT
Beschreibung IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II
Hersteller Cypress Semiconductor
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Auf Lager 5.454
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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CY7C10211BN-10ZXCT Ressourcen

Marke Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCY7C10211BN-10ZXCT
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
CY7C10211BN-10ZXCT, CY7C10211BN-10ZXCT Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 474,42 KB)
PDFCY7C10211BN-10ZXCT Datenblatt Cover
CY7C10211BN-10ZXCT Datenblatt Seite 2 CY7C10211BN-10ZXCT Datenblatt Seite 3 CY7C10211BN-10ZXCT Datenblatt Seite 4 CY7C10211BN-10ZXCT Datenblatt Seite 5 CY7C10211BN-10ZXCT Datenblatt Seite 6 CY7C10211BN-10ZXCT Datenblatt Seite 7 CY7C10211BN-10ZXCT Datenblatt Seite 8 CY7C10211BN-10ZXCT Datenblatt Seite 9 CY7C10211BN-10ZXCT Datenblatt Seite 10

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CY7C10211BN-10ZXCT Technische Daten

HerstellerCypress Semiconductor Corp
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Asynchronous
Speichergröße1Mb (64K x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite10ns
Zugriffszeit10ns
Spannung - Versorgung4.5V ~ 5.5V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Lieferantengerätepaket44-TSOP II

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Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

8Mb (1M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

45ns

Zugriffszeit

45ns

Spannung - Versorgung

2.2V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

FL1-K

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

64Mb (8M x 8)

Speicherschnittstelle

SPI - Quad I/O

Taktfrequenz

108MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

3ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

SST25

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH

Speichergröße

4Mb (512K x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

80MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

10µs

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

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Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR

Speichergröße

72Mb (2M x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

250MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

2.8ns

Spannung - Versorgung

2.375V ~ 2.625V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

165-TBGA

Lieferantengerätepaket

165-TFBGA (13x15)

CY7C1480BV25-200BZXC

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR

Speichergröße

72Mb (2M x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

200MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

3ns

Spannung - Versorgung

2.375V ~ 2.625V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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