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CY7C1021BNV33L-12ZXC

CY7C1021BNV33L-12ZXC

Nur als Referenz

Teilenummer CY7C1021BNV33L-12ZXC
PNEDA Teilenummer CY7C1021BNV33L-12ZXC
Beschreibung IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II
Hersteller Cypress Semiconductor
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Lager Shipped from Hong Kong SAR
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CY7C1021BNV33L-12ZXC Ressourcen

Marke Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCY7C1021BNV33L-12ZXC
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
CY7C1021BNV33L-12ZXC, CY7C1021BNV33L-12ZXC Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 534,14 KB)
PDFCY7C1021BNV33L-15ZXCT Datenblatt Cover
CY7C1021BNV33L-15ZXCT Datenblatt Seite 2 CY7C1021BNV33L-15ZXCT Datenblatt Seite 3 CY7C1021BNV33L-15ZXCT Datenblatt Seite 4 CY7C1021BNV33L-15ZXCT Datenblatt Seite 5 CY7C1021BNV33L-15ZXCT Datenblatt Seite 6 CY7C1021BNV33L-15ZXCT Datenblatt Seite 7 CY7C1021BNV33L-15ZXCT Datenblatt Seite 8 CY7C1021BNV33L-15ZXCT Datenblatt Seite 9 CY7C1021BNV33L-15ZXCT Datenblatt Seite 10

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CY7C1021BNV33L-12ZXC Technische Daten

HerstellerCypress Semiconductor Corp
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Asynchronous
Speichergröße1Mb (64K x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite12ns
Zugriffszeit12ns
Spannung - Versorgung3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Lieferantengerätepaket44-TSOP II

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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Speicherformat

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Technologie

SDRAM - DDR2

Speichergröße

1Gb (128M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

333MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

450ps

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

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Speichergröße

256Mb (32M x 8)

Speicherschnittstelle

SPI - Quad I/O, QPI, DTR

Taktfrequenz

104MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

800µs

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.65V ~ 1.95V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 105°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

GL-P

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

256Mb (32M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

100ns

Zugriffszeit

100ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

64-LBGA

Lieferantengerätepaket

64-FBGA (13x11)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR

Speichergröße

18Mb (512K x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

117MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

7.5ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.465V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

100-LQFP (14x20)

S30ML512P30TFI000

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

*

Speichertyp

-

Speicherformat

-

Technologie

-

Speichergröße

-

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

-

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