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CY7C1059DV33-12ZSXIT

CY7C1059DV33-12ZSXIT

Nur als Referenz

Teilenummer CY7C1059DV33-12ZSXIT
PNEDA Teilenummer CY7C1059DV33-12ZSXIT
Beschreibung IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP II
Hersteller Cypress Semiconductor
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CY7C1059DV33-12ZSXIT Ressourcen

Marke Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCY7C1059DV33-12ZSXIT
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
CY7C1059DV33-12ZSXIT, CY7C1059DV33-12ZSXIT Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 806,53 KB)
PDFCY7C1059DV33-12ZSXIT Datenblatt Cover
CY7C1059DV33-12ZSXIT Datenblatt Seite 2 CY7C1059DV33-12ZSXIT Datenblatt Seite 3 CY7C1059DV33-12ZSXIT Datenblatt Seite 4 CY7C1059DV33-12ZSXIT Datenblatt Seite 5 CY7C1059DV33-12ZSXIT Datenblatt Seite 6 CY7C1059DV33-12ZSXIT Datenblatt Seite 7 CY7C1059DV33-12ZSXIT Datenblatt Seite 8 CY7C1059DV33-12ZSXIT Datenblatt Seite 9 CY7C1059DV33-12ZSXIT Datenblatt Seite 10

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CY7C1059DV33-12ZSXIT Technische Daten

HerstellerCypress Semiconductor Corp
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Asynchronous
Speichergröße8Mb (1M x 8)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite12ns
Zugriffszeit12ns
Spannung - Versorgung3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Lieferantengerätepaket44-TSOP II

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Serie

SpiFlash®

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

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FLASH

Speichergröße

4Mb (512K x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

104MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

800µs

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Through Hole

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - Mobile LPDDR4

Speichergröße

4Gb (128M x 32)

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

2.133GHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

0.6V, 1.1V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

Speichergröße

18Mb (512K x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

133MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

4.2ns

Spannung - Versorgung

2.375V ~ 2.625V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

119-BGA

Lieferantengerätepaket

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Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NAND (SLC)

Speichergröße

4Gb (256M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM

Speichergröße

1Mb (128K x 8)

Speicherschnittstelle

SPI - Quad I/O

Taktfrequenz

16MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 2.2V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-TSSOP

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