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CY7C131-25JXC

CY7C131-25JXC

Nur als Referenz

Teilenummer CY7C131-25JXC
PNEDA Teilenummer CY7C131-25JXC
Beschreibung IC SRAM 8K PARALLEL 52PLCC
Hersteller Cypress Semiconductor
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Auf Lager 238
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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CY7C131-25JXC Ressourcen

Marke Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCY7C131-25JXC
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
CY7C131-25JXC, CY7C131-25JXC Datenblatt (Total Pages: 22, Größe: 474,92 KB)
PDFCY7C131A-15JXI Datenblatt Cover
CY7C131A-15JXI Datenblatt Seite 2 CY7C131A-15JXI Datenblatt Seite 3 CY7C131A-15JXI Datenblatt Seite 4 CY7C131A-15JXI Datenblatt Seite 5 CY7C131A-15JXI Datenblatt Seite 6 CY7C131A-15JXI Datenblatt Seite 7 CY7C131A-15JXI Datenblatt Seite 8 CY7C131A-15JXI Datenblatt Seite 9 CY7C131A-15JXI Datenblatt Seite 10 CY7C131A-15JXI Datenblatt Seite 11

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CY7C131-25JXC Technische Daten

HerstellerCypress Semiconductor Corp
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Dual Port, Asynchronous
Speichergröße8Kb (1K x 8)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite25ns
Zugriffszeit25ns
Spannung - Versorgung4.5V ~ 5.5V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall52-LCC (J-Lead)
Lieferantengerätepaket52-PLCC (19.13x19.13)

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Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

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EEPROM

Speichergröße

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Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

3MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.8V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

Die

Lieferantengerätepaket

Die

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

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Technologie

EPROM - OTP

Speichergröße

512Kb (64K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

150ns

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

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Hersteller

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Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

256Kb (32K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

150ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

Maxim Integrated

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

4Kb (256 x 16)

Speicherschnittstelle

1-Wire®

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

2µs

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Hersteller

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-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

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Speichergröße

4.5Mb (128K x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

8ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.465V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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