CY7C1315BV18-250BZXC
Nur als Referenz
| Teilenummer | CY7C1315BV18-250BZXC |
| PNEDA Teilenummer | CY7C1315BV18-250BZXC |
| Beschreibung | IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA |
| Hersteller | Cypress Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.078 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 15 - Jun 20 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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CY7C1315BV18-250BZXC Ressourcen
| Marke | Cypress Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | CY7C1315BV18-250BZXC |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
| Datenblatt |
CY7C1315BV18-250BZXC, CY7C1315BV18-250BZXC Datenblatt
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CY7C1315BV18-250BZXC Technische Daten
| Hersteller | Cypress Semiconductor Corp |
| Serie | - |
| Speichertyp | Volatile |
| Speicherformat | SRAM |
| Technologie | SRAM - Synchronous, QDR II |
| Speichergröße | 18Mb (512K x 36) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 250MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | - |
| Spannung - Versorgung | 1.7V ~ 1.9V |
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 165-LBGA |
| Lieferantengerätepaket | 165-FBGA (13x15) |
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Hersteller Microchip Technology Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat EEPROM Technologie EEPROM Speichergröße 32Kb (4K x 8) Speicherschnittstelle I²C Taktfrequenz 400kHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 10ms Zugriffszeit 900ns Spannung - Versorgung 2.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Through Hole Paket / Fall 8-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket 8-PDIP |
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