CY7C1318CV18-200BZXC
Nur als Referenz
| Teilenummer | CY7C1318CV18-200BZXC |
| PNEDA Teilenummer | CY7C1318CV18-200BZXC |
| Beschreibung | IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA |
| Hersteller | Cypress Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.816 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 12 - Jun 17 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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CY7C1318CV18-200BZXC Ressourcen
| Marke | Cypress Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | CY7C1318CV18-200BZXC |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
| Datenblatt |
CY7C1318CV18-200BZXC, CY7C1318CV18-200BZXC Datenblatt
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CY7C1318CV18-200BZXC Technische Daten
| Hersteller | Cypress Semiconductor Corp |
| Serie | - |
| Speichertyp | Volatile |
| Speicherformat | SRAM |
| Technologie | SRAM - Synchronous, DDR II |
| Speichergröße | 18Mb (1M x 18) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 200MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | - |
| Spannung - Versorgung | 1.7V ~ 1.9V |
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 165-LBGA |
| Lieferantengerätepaket | 165-FBGA (13x15) |
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Hersteller Micron Technology Inc. Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie DRAM Speichergröße 288Mb (8M x 36) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 144-TFBGA Lieferantengerätepaket 144-FBGA (18.5x11) |
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Hersteller Silicon Motion, Inc. Serie * Speichertyp - Speicherformat - Technologie - Speichergröße - Speicherschnittstelle - Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit - Spannung - Versorgung - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
