CY7C1339G-100AXC
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| Teilenummer | CY7C1339G-100AXC |
| PNEDA Teilenummer | CY7C1339G-100AXC |
| Beschreibung | IC SRAM 4M PARALLEL 100TQFP |
| Hersteller | Cypress Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.318 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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CY7C1339G-100AXC Ressourcen
| Marke | Cypress Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | CY7C1339G-100AXC |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
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CY7C1339G-100AXC Technische Daten
| Hersteller | Cypress Semiconductor Corp |
| Serie | - |
| Speichertyp | Volatile |
| Speicherformat | SRAM |
| Technologie | SRAM - Synchronous, SDR |
| Speichergröße | 4Mb (128K x 32) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 100MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | 5.5ns |
| Spannung - Versorgung | 3.15V ~ 3.6V |
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 100-LQFP |
| Lieferantengerätepaket | 100-TQFP (14x20) |
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Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Asynchronous Speichergröße 1Mb (64K x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 10ns Zugriffszeit 10ns Spannung - Versorgung 3.15V ~ 3.6V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket 44-SOJ |
Hersteller Cypress Semiconductor Corp Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat NVSRAM Technologie NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Speichergröße 1Mb (128K x 8) Speicherschnittstelle SPI Taktfrequenz 108MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 105°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Lieferantengerätepaket 16-SOIC |
