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CY7C1370DV25-250AXC

CY7C1370DV25-250AXC

Nur als Referenz

Teilenummer CY7C1370DV25-250AXC
PNEDA Teilenummer CY7C1370DV25-250AXC
Beschreibung IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP
Hersteller Cypress Semiconductor
Stückpreis
1 ---------- $330,0221
50 ---------- $314,5524
100 ---------- $299,0826
200 ---------- $283,6128
400 ---------- $270,7213
500 ---------- $257,8298
Auf Lager 243
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 15 - Mai 20 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

CY7C1370DV25-250AXC Ressourcen

Marke Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCY7C1370DV25-250AXC
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
CY7C1370DV25-250AXC, CY7C1370DV25-250AXC Datenblatt (Total Pages: 29, Größe: 891,12 KB)
PDFCY7C1370DV25-250AXCT Datenblatt Cover
CY7C1370DV25-250AXCT Datenblatt Seite 2 CY7C1370DV25-250AXCT Datenblatt Seite 3 CY7C1370DV25-250AXCT Datenblatt Seite 4 CY7C1370DV25-250AXCT Datenblatt Seite 5 CY7C1370DV25-250AXCT Datenblatt Seite 6 CY7C1370DV25-250AXCT Datenblatt Seite 7 CY7C1370DV25-250AXCT Datenblatt Seite 8 CY7C1370DV25-250AXCT Datenblatt Seite 9 CY7C1370DV25-250AXCT Datenblatt Seite 10 CY7C1370DV25-250AXCT Datenblatt Seite 11

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CY7C1370DV25-250AXC Technische Daten

HerstellerCypress Semiconductor Corp
SerieNoBL™
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße18Mb (512K x 36)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz250MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit2.6ns
Spannung - Versorgung2.375V ~ 2.625V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall100-LQFP
Lieferantengerätepaket100-TQFP (14x20)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM

Speichergröße

16Mb (1M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

100MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

7ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

50-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Lieferantengerätepaket

50-TSOP II

IS49NLC36800-25BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

DRAM

Speichergröße

288Mb (8M x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

400MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

256Kb (32K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

10ms

Zugriffszeit

150ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 125°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

28-CFlatPack

Lieferantengerätepaket

28-Flatpack, Ceramic Bottom-Brazed

AT25128B-MAHL-E

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

128Kb (16K x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

20MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.8V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-UFDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

8-UDFN (2x3)

DS1258Y-70IND#

Maxim Integrated

Hersteller

Maxim Integrated

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

NVSRAM

Technologie

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Speichergröße

2Mb (128K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

70ns

Zugriffszeit

70ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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