CY7C1372KV25-167AXC
Nur als Referenz
| Teilenummer | CY7C1372KV25-167AXC | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | CY7C1372KV25-167AXC | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP | ||||||||||||||||||
| Hersteller | Cypress Semiconductor | ||||||||||||||||||
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| Auf Lager | 4.184 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
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CY7C1372KV25-167AXC Ressourcen
| Marke | Cypress Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | CY7C1372KV25-167AXC |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
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CY7C1372KV25-167AXC Technische Daten
| Hersteller | Cypress Semiconductor Corp |
| Serie | NoBL™ |
| Speichertyp | Volatile |
| Speicherformat | SRAM |
| Technologie | SRAM - Synchronous, SDR |
| Speichergröße | 18Mb (1M x 18) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 167MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | 3.4ns |
| Spannung - Versorgung | 2.375V ~ 2.625V |
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 100-LQFP |
| Lieferantengerätepaket | 100-TQFP (14x20) |
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Hersteller Microchip Technology Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat EEPROM Technologie EEPROM Speichergröße 8Kb (1K x 8) Speicherschnittstelle SPI Taktfrequenz 10MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 5ms Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 2.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Asynchronous Speichergröße 1Mb (128K x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 10ns Zugriffszeit 10ns Spannung - Versorgung 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket 32-TSOP II |
Hersteller Micron Technology Inc. Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat FLASH Technologie FLASH - NOR Speichergröße 4Mb (512K x 8, 256K x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 55ns Zugriffszeit 55ns Spannung - Versorgung 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 48-TFBGA Lieferantengerätepaket 48-TFBGA (6x8) |
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM Speichergröße 512Mb (16M x 32) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 6ns Spannung - Versorgung 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 90-LFBGA Lieferantengerätepaket 90-LFBGA (8x13) |
