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CY7C1399BL-12ZXCT

CY7C1399BL-12ZXCT

Nur als Referenz

Teilenummer CY7C1399BL-12ZXCT
PNEDA Teilenummer CY7C1399BL-12ZXCT
Beschreibung IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP I
Hersteller Cypress Semiconductor
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Auf Lager 4.770
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jul 16 - Jul 21 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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CY7C1399BL-12ZXCT Ressourcen

Marke Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCY7C1399BL-12ZXCT
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
CY7C1399BL-12ZXCT, CY7C1399BL-12ZXCT Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 189,72 KB)
PDFCY7C1399BL-12ZXCT Datenblatt Cover
CY7C1399BL-12ZXCT Datenblatt Seite 2 CY7C1399BL-12ZXCT Datenblatt Seite 3 CY7C1399BL-12ZXCT Datenblatt Seite 4 CY7C1399BL-12ZXCT Datenblatt Seite 5 CY7C1399BL-12ZXCT Datenblatt Seite 6 CY7C1399BL-12ZXCT Datenblatt Seite 7 CY7C1399BL-12ZXCT Datenblatt Seite 8 CY7C1399BL-12ZXCT Datenblatt Seite 9 CY7C1399BL-12ZXCT Datenblatt Seite 10

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CY7C1399BL-12ZXCT Technische Daten

HerstellerCypress Semiconductor Corp
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Asynchronous
Speichergröße256Kb (32K x 8)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite12ns
Zugriffszeit12ns
Spannung - Versorgung3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)
Lieferantengerätepaket28-TSOP I

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

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Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

NVSRAM

Technologie

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Speichergröße

1Mb (128K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

45ns

Zugriffszeit

45ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

32-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

Lieferantengerätepaket

32-SOIC

DS2502+

Maxim Integrated

Hersteller

Maxim Integrated

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EPROM

Technologie

EPROM - OTP

Speichergröße

1Kb (128 x 8)

Speicherschnittstelle

1-Wire®

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.8V ~ 6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

IDT71V424L15PH

IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

4Mb (512K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

15ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Lieferantengerätepaket

44-TSOP II

MR2A08ACYS35R

Everspin Technologies Inc.

Hersteller

Everspin Technologies Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

RAM

Technologie

MRAM (Magnetoresistive RAM)

Speichergröße

4Mb (512K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

35ns

Zugriffszeit

35ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Lieferantengerätepaket

44-TSOP2

CY7S1061G18-15ZSXIT

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR

Speichergröße

16Mb (1M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

15ns

Spannung - Versorgung

1.65V ~ 2.2V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Lieferantengerätepaket

54-TSOP II

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SD066-24-21-011

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