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CY7C1412AV18-250BZXC

CY7C1412AV18-250BZXC

Nur als Referenz

Teilenummer CY7C1412AV18-250BZXC
PNEDA Teilenummer CY7C1412AV18-250BZXC
Beschreibung IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA
Hersteller Cypress Semiconductor
Stückpreis
1 ---------- $448,4584
50 ---------- $427,4369
100 ---------- $406,4154
200 ---------- $385,3939
400 ---------- $367,8760
500 ---------- $350,3581
Auf Lager 281
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

CY7C1412AV18-250BZXC Ressourcen

Marke Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCY7C1412AV18-250BZXC
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
CY7C1412AV18-250BZXC, CY7C1412AV18-250BZXC Datenblatt (Total Pages: 25, Größe: 481,08 KB)
PDFCY7C1425AV18-200BZC Datenblatt Cover
CY7C1425AV18-200BZC Datenblatt Seite 2 CY7C1425AV18-200BZC Datenblatt Seite 3 CY7C1425AV18-200BZC Datenblatt Seite 4 CY7C1425AV18-200BZC Datenblatt Seite 5 CY7C1425AV18-200BZC Datenblatt Seite 6 CY7C1425AV18-200BZC Datenblatt Seite 7 CY7C1425AV18-200BZC Datenblatt Seite 8 CY7C1425AV18-200BZC Datenblatt Seite 9 CY7C1425AV18-200BZC Datenblatt Seite 10 CY7C1425AV18-200BZC Datenblatt Seite 11

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CY7C1412AV18-250BZXC Technische Daten

HerstellerCypress Semiconductor Corp
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Synchronous, QDR II
Speichergröße36Mb (2M x 18)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz250MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall165-LBGA
Lieferantengerätepaket165-FBGA (15x17)

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IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

16Kb (2K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

20ns

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - DDR

Speichergröße

512Mb (64M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

200MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

700ps

Spannung - Versorgung

2.5V ~ 2.7V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)

Lieferantengerätepaket

66-TSOP

AT25160A-10TI-2.7

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

16Kb (2K x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

20MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-TSSOP

AT49BV322AT-70TI

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH

Speichergröße

32Mb (4M x 8, 2M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

200µs

Zugriffszeit

70ns

Spannung - Versorgung

2.65V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

48-TSOP

MT29C8G96MAAFBACKD-5 WT

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH, RAM

Technologie

FLASH - NAND, Mobile LPDRAM

Speichergröße

8Gb (512M x 16)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

200MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.95V

Betriebstemperatur

-25°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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