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CY7C1418JV18-300BZXC

CY7C1418JV18-300BZXC

Nur als Referenz

Teilenummer CY7C1418JV18-300BZXC
PNEDA Teilenummer CY7C1418JV18-300BZXC
Beschreibung IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA
Hersteller Cypress Semiconductor
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CY7C1418JV18-300BZXC Ressourcen

Marke Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCY7C1418JV18-300BZXC
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
CY7C1418JV18-300BZXC, CY7C1418JV18-300BZXC Datenblatt (Total Pages: 26, Größe: 662,81 KB)
PDFCY7C1420JV18-250BZI Datenblatt Cover
CY7C1420JV18-250BZI Datenblatt Seite 2 CY7C1420JV18-250BZI Datenblatt Seite 3 CY7C1420JV18-250BZI Datenblatt Seite 4 CY7C1420JV18-250BZI Datenblatt Seite 5 CY7C1420JV18-250BZI Datenblatt Seite 6 CY7C1420JV18-250BZI Datenblatt Seite 7 CY7C1420JV18-250BZI Datenblatt Seite 8 CY7C1420JV18-250BZI Datenblatt Seite 9 CY7C1420JV18-250BZI Datenblatt Seite 10 CY7C1420JV18-250BZI Datenblatt Seite 11

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CY7C1418JV18-300BZXC Technische Daten

HerstellerCypress Semiconductor Corp
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Synchronous, DDR II
Speichergröße36Mb (2M x 18)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz300MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall165-LBGA
Lieferantengerätepaket165-FBGA (15x17)

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Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

PL-J

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

128M (8M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

70ns

Zugriffszeit

70ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

56-TSOP

AS6C1608-55TIN

Alliance Memory, Inc.

Hersteller

Alliance Memory, Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

16Mb (2M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

55ns

Zugriffszeit

55ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Lieferantengerätepaket

44-TSOP2

AT24C01A-10PU-1.8

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

1Kb (128 x 8)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

400kHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

900ns

Spannung - Versorgung

1.8V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

8-PDIP

7027S15PF8

IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Speichergröße

512Kb (32K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

15ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

100-LQFP

Lieferantengerätepaket

100-TQFP (14x14)

AS4C16M16S-6TCN

Alliance Memory, Inc.

Hersteller

Alliance Memory, Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM

Speichergröße

256Mb (16M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

166MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

12ns

Zugriffszeit

5.4ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Lieferantengerätepaket

54-TSOP II

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