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CY7C1480V33-200AXC

CY7C1480V33-200AXC

Nur als Referenz

Teilenummer CY7C1480V33-200AXC
PNEDA Teilenummer CY7C1480V33-200AXC
Beschreibung IC SRAM 72M PARALLEL 100TQFP
Hersteller Cypress Semiconductor
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Auf Lager 6.354
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CY7C1480V33-200AXC Ressourcen

Marke Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCY7C1480V33-200AXC
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher

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CY7C1480V33-200AXC Technische Daten

HerstellerCypress Semiconductor Corp
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße72Mb (2M x 36)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz200MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit3ns
Spannung - Versorgung3.135V ~ 3.6V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall100-LQFP
Lieferantengerätepaket100-TQFP (14x20)

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N25Q064A13ESE40R01 TR

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

64Mb (16M x 4)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

108MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

8ms, 5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOP2

IS43R83200B-5TL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - DDR

Speichergröße

256Mb (32M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

200MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

700ps

Spannung - Versorgung

2.3V ~ 2.7V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)

Lieferantengerätepaket

66-TSOP II

MTA9ASF1G72PZ-2G9E1

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - DDR4

Speichergröße

72Gb (1G x 72)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

1467MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.2V

Betriebstemperatur

0°C ~ 95°C (TC)

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

M95128-DRDW8TP/K

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

Automotive, AEC-Q100

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

128Kb (16K x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

20MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

4ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.8V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 105°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-TSSOP

EDB1332BDBH-1DAAT-F-R TR

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - Mobile LPDDR2

Speichergröße

1Gb (32M x 32)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

533MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.14V ~ 1.95V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 105°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

134-VFBGA

Lieferantengerätepaket

134-VFBGA (10x11.5)

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