CY7C1513KV18-200BZXI
Nur als Referenz
| Teilenummer | CY7C1513KV18-200BZXI |
| PNEDA Teilenummer | CY7C1513KV18-200BZXI |
| Beschreibung | IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA |
| Hersteller | Cypress Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.128 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jul 14 - Jul 19 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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CY7C1513KV18-200BZXI Ressourcen
| Marke | Cypress Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | CY7C1513KV18-200BZXI |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
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CY7C1513KV18-200BZXI Technische Daten
| Hersteller | Cypress Semiconductor Corp |
| Serie | - |
| Speichertyp | Volatile |
| Speicherformat | SRAM |
| Technologie | SRAM - Synchronous, QDR II |
| Speichergröße | 72Mb (4M x 18) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 200MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | - |
| Spannung - Versorgung | 1.7V ~ 1.9V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 165-LBGA |
| Lieferantengerätepaket | 165-FBGA (13x15) |
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Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Dual Port, Asynchronous Speichergröße 64Kb (4K x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 90ns Zugriffszeit 90ns Spannung - Versorgung 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 100-TFBGA Lieferantengerätepaket 100-CABGA (6x6) |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat EPROM Technologie EPROM - UV Speichergröße 32Kb (4K x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 200ns Spannung - Versorgung 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Through Hole Paket / Fall 24-DIP (0.600", 15.24mm) Window Lieferantengerätepaket 24-DIP |
Hersteller Micron Technology Inc. Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat FLASH Technologie FLASH - NAND Speichergröße 4Gb (512M x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 48-TSOP Lieferantengerätepaket 48-TSOP |
Hersteller Toshiba Memory America, Inc. Serie e•MMC™ Speichertyp Non-Volatile Speicherformat FLASH Technologie FLASH - NAND Speichergröße 64Gb (8G x 8) Speicherschnittstelle eMMC Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit - Spannung - Versorgung - Betriebstemperatur -25°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 153-WFBGA Lieferantengerätepaket 153-FBGA (11.5x13) |
