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CY7C1568V18-400BZXC

CY7C1568V18-400BZXC

Nur als Referenz

Teilenummer CY7C1568V18-400BZXC
PNEDA Teilenummer CY7C1568V18-400BZXC
Beschreibung IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA
Hersteller Cypress Semiconductor
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Auf Lager 7.884
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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CY7C1568V18-400BZXC Ressourcen

Marke Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCY7C1568V18-400BZXC
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
CY7C1568V18-400BZXC, CY7C1568V18-400BZXC Datenblatt (Total Pages: 28, Größe: 719,04 KB)
PDFCY7C1570V18-375BZXC Datenblatt Cover
CY7C1570V18-375BZXC Datenblatt Seite 2 CY7C1570V18-375BZXC Datenblatt Seite 3 CY7C1570V18-375BZXC Datenblatt Seite 4 CY7C1570V18-375BZXC Datenblatt Seite 5 CY7C1570V18-375BZXC Datenblatt Seite 6 CY7C1570V18-375BZXC Datenblatt Seite 7 CY7C1570V18-375BZXC Datenblatt Seite 8 CY7C1570V18-375BZXC Datenblatt Seite 9 CY7C1570V18-375BZXC Datenblatt Seite 10 CY7C1570V18-375BZXC Datenblatt Seite 11

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CY7C1568V18-400BZXC Technische Daten

HerstellerCypress Semiconductor Corp
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Synchronous, DDR II
Speichergröße72Mb (2M x 36)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz400MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall165-LBGA
Lieferantengerätepaket165-FBGA (15x17)

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

8Kb (256 x 8 x 4)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

400kHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

900ns

Spannung - Versorgung

2.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

IDT71V67602S166BQGI8

IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR

Speichergröße

9Mb (256K x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

166MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

3.5ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.465V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

165-TBGA

Lieferantengerätepaket

165-CABGA (13x15)

MT49H32M9FM-25:B TR

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

DRAM

Speichergröße

288Mb (32M x 9)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

400MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

0°C ~ 95°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

144-TFBGA

Lieferantengerätepaket

144-µBGA (18.5x11)

MT40A4G8KVA-083H:G

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - DDR4

Speichergröße

32Gb (4G x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

1.2GHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.14V ~ 1.26V

Betriebstemperatur

0°C ~ 95°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

78-TFBGA

Lieferantengerätepaket

78-FBGA (8x12)

71T75902S75PFG

IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

Speichergröße

18Mb (1M x 18)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

7.5ns

Spannung - Versorgung

2.375V ~ 2.625V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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