CZT3019 TR
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| Teilenummer | CZT3019 TR |
| PNEDA Teilenummer | CZT3019-TR |
| Hersteller | Central Semiconductor Corp |
| Beschreibung | TRANS NPN 80V 1A SOT223 |
| Stückpreis |
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| Lager | USA, Europe, China, Hong Kong SAR |
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CZT3019 TR Ressourcen
| Marke | Central Semiconductor Corp |
| Mfr. Artikelnummer | CZT3019 TR |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Single |
CZT3019 TR Technische Daten
| Hersteller | Central Semiconductor Corp |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 1A |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 80V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 10nA (ICBO) |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
| Leistung - max | 2W |
| Frequenz - Übergang | 400MHz |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-261-4, TO-261AA |
| Lieferantengerätepaket | SOT-223 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 25V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 600mV @ 5mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 15nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 120 @ 2mA, 5V Leistung - max 500mW Frequenz - Übergang 250MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 6V Leistung - max 250mW Frequenz - Übergang 300MHz Betriebstemperatur - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 200mA, 5A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 50nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 100 @ 2A, 1V Leistung - max 1.2W Frequenz - Übergang 130MHz Betriebstemperatur -55°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall E-Line-3, Formed Leads Lieferantengerätepaket E-Line (TO-92 compatible) |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 200mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 120V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 50 @ 10mA, 5V Leistung - max 625mW Frequenz - Übergang 60MHz Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 700mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 700mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 120 @ 50mA, 2V Leistung - max 800mW Frequenz - Übergang 50MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
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