DB105G
Nur als Referenz
| Teilenummer | DB105G | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | DB105G | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1A DB | ||||||||||||||||||
| Hersteller | GeneSiC Semiconductor | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 437 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 26 - Mai 31 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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DB105G Ressourcen
| Marke | GeneSiC Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | DB105G |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Brückengleichrichter |
| Datenblatt |
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DB105G Technische Daten
| Hersteller | GeneSiC Semiconductor |
| Serie | - |
| Diodentyp | Single Phase |
| Technologie | Standard |
| Spannung - Peak Reverse (Max) | 600V |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 10µA @ 600V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | 4-EDIP (0.321", 8.15mm) |
| Lieferantengerätepaket | DB |
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Hersteller GeneSiC Semiconductor Serie - Diodentyp Single Phase Technologie Standard Spannung - Peak Reverse (Max) 100V Current - Average Rectified (Io) 2A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 2A Strom - Umkehrleckage @ Vr 10µA @ 100V Betriebstemperatur -50°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall 4-SIP, KBP Lieferantengerätepaket KBP |
