DD1200S33KL2CB5NOSA1
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| Teilenummer | DD1200S33KL2CB5NOSA1 |
| PNEDA Teilenummer | DD1200S33KL2CB5NOSA1 |
| Beschreibung | DIODE MOD 3300V A-IHV130-6-1 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.580 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 31 - Jun 5 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
| Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
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DD1200S33KL2CB5NOSA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | DD1200S33KL2CB5NOSA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Arrays |
| Datenblatt |
DD1200S33KL2CB5NOSA1, DD1200S33KL2CB5NOSA1 Datenblatt
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DD1200S33KL2CB5NOSA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| Diodenkonfiguration | 2 Independent |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 3300V |
| Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 1200A (DC) |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 3.5V @ 1200A |
| Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 1700A @ 1800V |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -40°C ~ 125°C |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | Block, 4 Lead |
| Lieferantengerätepaket | Module |
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Hersteller GeneSiC Semiconductor Serie - Diodenkonfiguration 1 Pair Common Cathode Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 200V Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) 60A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 920mV @ 60A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 1mA @ 200V Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Three Tower Lieferantengerätepaket Three Tower |
