DD800S17H4B2BOSA2
Nur als Referenz
| Teilenummer | DD800S17H4B2BOSA2 |
| PNEDA Teilenummer | DD800S17H4B2BOSA2 |
| Beschreibung | DIODE MODUL GP 1700V AGIHMB130-1 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.204 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 5 - Mai 10 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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DD800S17H4B2BOSA2 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | DD800S17H4B2BOSA2 |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Arrays |
| Datenblatt |
DD800S17H4B2BOSA2, DD800S17H4B2BOSA2 Datenblatt
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DD800S17H4B2BOSA2 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| Diodenkonfiguration | 2 Independent |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 1700V |
| Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | - |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 2.1V @ 800A |
| Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 900A @ 900V |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -40°C ~ 150°C |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | Module |
| Lieferantengerätepaket | AG-IHMB130-1 |
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Hersteller GeneSiC Semiconductor Serie - Diodenkonfiguration 1 Pair Common Cathode Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 400V Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) 300A (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.5V @ 100A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 90ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 25µA @ 50V Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Twin Tower Lieferantengerätepaket Twin Tower |
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Hersteller STMicroelectronics Serie - Diodenkonfiguration 2 Independent Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 200V Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) 120A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.05V @ 100A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 50ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 100µA @ 200V Betriebstemperatur - Verbindungsstelle 150°C (Max) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall ISOTOP Lieferantengerätepaket ISOTOP® |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Diodenkonfiguration 2 Independent Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 30V Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) 500mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 550mV @ 500mA Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 10ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 30µA @ 15V Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 125°C Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-74A, SOT-753 Lieferantengerätepaket 5-CPH |
