DDB2U30N08VRBOMA1
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| Teilenummer | DDB2U30N08VRBOMA1 |
| PNEDA Teilenummer | DDB2U30N08VRBOMA1 |
| Beschreibung | IGBT MODULE 800V 50A |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.794 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 19 - Jun 24 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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DDB2U30N08VRBOMA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | DDB2U30N08VRBOMA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Module |
| Datenblatt |
DDB2U30N08VRBOMA1, DDB2U30N08VRBOMA1 Datenblatt
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DDB2U30N08VRBOMA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Konfiguration | 3 Independent |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 25A |
| Leistung - max | 83.5W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.55V @ 15V, 20A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 1mA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 880pF @ 25V |
| Eingabe | Standard |
| NTC-Thermistor | Yes |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | Module |
| Lieferantengerätepaket | Module |
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Hersteller Infineon Technologies Serie * IGBT-Typ - Konfiguration - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Leistung - max - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Strom - Kollektorabschaltung (max.) - Eingangskapazität (Cies) @ Vce - Eingabe - NTC-Thermistor - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ - Konfiguration Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 200A Leistung - max 483W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 200A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 200µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 12nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket SP3F |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Konfiguration Full Bridge Inverter Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50A Leistung - max 90W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 30A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 1.6nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SP1 Lieferantengerätepaket SP1 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Konfiguration Three Phase Inverter Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 75A Leistung - max 230W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.95V @ 15V, 50A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 3.1nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket Module |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Konfiguration Dual, Common Source Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1700V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 150A Leistung - max 560W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 100A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 9nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SP4 Lieferantengerätepaket SP4 |
