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DGD0507AFN-7

DGD0507AFN-7

Nur als Referenz

Teilenummer DGD0507AFN-7
PNEDA Teilenummer DGD0507AFN-7
Beschreibung IC GATE DRVR HALFBRDG DFN3030-10
Hersteller Diodes Incorporated
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Auf Lager 6.012
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 5 - Mai 10 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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DGD0507AFN-7 Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDGD0507AFN-7
KategorieHalbleiterEnergieverwaltungs-ICsPMIC - Gate-Treiber
Datenblatt
DGD0507AFN-7, DGD0507AFN-7 Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 653,74 KB)
PDFDGD0507AFN-7 Datenblatt Cover
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DGD0507AFN-7 Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
Serie-
Angetriebene KonfigurationHalf-Bridge
KanaltypSynchronous
Anzahl der Treiber2
Gate-TypN-Channel MOSFET
Spannung - Versorgung8V ~ 14V
Logikspannung - VIL, VIH0.8V, 2.4V
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)1.5A, 2A
EingabetypCMOS/TTL
High Side Voltage - Max (Bootstrap)50V
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)16ns, 18ns
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall10-WFDFN Exposed Pad
LieferantengerätepaketW-DFN3030-10

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Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

-

Anzahl der Treiber

1

Gate-Typ

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

15V

Logikspannung - VIL, VIH

-

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

48A, 48A

Eingabetyp

-

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

ISL6207HRZ

Renesas Electronics America Inc.

Hersteller

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Synchronous

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Logikspannung - VIL, VIH

1V, 2V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

2A, 2A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

36V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

8ns, 8ns

Betriebstemperatur

-10°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-VQFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

8-QFN (3x3)

L6386ADTR

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

IGBT, N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

17V (Max)

Logikspannung - VIL, VIH

1.5V, 3.6V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

400mA, 650mA

Eingabetyp

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

50ns, 30ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

14-SO

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Synchronous

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 13.2V

Logikspannung - VIL, VIH

0.7V, 3.4V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

-

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

35V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

16ns, 11ns

Betriebstemperatur

0°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-VFDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

8-DFN (2x2)

UCC27321DGNR

Texas Instruments

Hersteller

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Low-Side

Kanaltyp

Single

Anzahl der Treiber

1

Gate-Typ

N-Channel, P-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4V ~ 15V

Logikspannung - VIL, VIH

1V, 2V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

9A, 9A

Eingabetyp

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

20ns, 20ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 105°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-MSOP-PowerPad

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