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DGD2110S16-13

DGD2110S16-13

Nur als Referenz

Teilenummer DGD2110S16-13
PNEDA Teilenummer DGD2110S16-13
Beschreibung IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SO
Hersteller Diodes Incorporated
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Auf Lager 6.174
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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DGD2110S16-13 Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDGD2110S16-13
KategorieHalbleiterEnergieverwaltungs-ICsPMIC - Gate-Treiber
Datenblatt
DGD2110S16-13, DGD2110S16-13 Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 1.427,54 KB)
PDFDGD2110S16-13 Datenblatt Cover
DGD2110S16-13 Datenblatt Seite 2 DGD2110S16-13 Datenblatt Seite 3 DGD2110S16-13 Datenblatt Seite 4 DGD2110S16-13 Datenblatt Seite 5 DGD2110S16-13 Datenblatt Seite 6 DGD2110S16-13 Datenblatt Seite 7 DGD2110S16-13 Datenblatt Seite 8 DGD2110S16-13 Datenblatt Seite 9 DGD2110S16-13 Datenblatt Seite 10 DGD2110S16-13 Datenblatt Seite 11

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DGD2110S16-13 Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
Serie-
Angetriebene KonfigurationHalf-Bridge
KanaltypIndependent
Anzahl der Treiber2
Gate-TypIGBT, N-Channel MOSFET
Spannung - Versorgung10V ~ 20V
Logikspannung - VIL, VIH6V, 9.5V
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)2.5A, 2.5A
EingabetypNon-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap)500V
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)15ns, 13ns
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Lieferantengerätepaket16-SO

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Microchip Technology

Serie

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Kanaltyp

Single

Anzahl der Treiber

1

Gate-Typ

-

Spannung - Versorgung

4.75V ~ 5.25V

Logikspannung - VIL, VIH

-

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

-

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

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Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Low-Side

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

4

Gate-Typ

N-Channel, P-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 18V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2.4V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

1.2A, 1.2A

Eingabetyp

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

14ns, 13ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

Lieferantengerätepaket

16-SOIC

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

IGBT

Spannung - Versorgung

11.5V ~ 20V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

2A, 3A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

24ns, 7ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

24-SSOP (0.209", 5.30mm Width)

Lieferantengerätepaket

24-SSOP

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Texas Instruments

Hersteller

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Low-Side

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

6

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Logikspannung - VIL, VIH

-

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

1.2mA, 1.2mA

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

3.5µs, 3µs

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

28-SSOP (0.209", 5.30mm Width)

Lieferantengerätepaket

28-SSOP

UCC21222D

Texas Instruments

Hersteller

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

IGBT, N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

3V ~ 5.5V

Logikspannung - VIL, VIH

1.25V, 1.6V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

4A, 6A

Eingabetyp

CMOS/TTL

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

5ns, 6ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

16-SOIC

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