DMC1018UPD-13
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| Teilenummer | DMC1018UPD-13 |
| PNEDA Teilenummer | DMC1018UPD-13 |
| Beschreibung | MOSFET N/P-CH 12V POWERDI5060 |
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.598 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jul 22 - Jul 27 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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DMC1018UPD-13 Ressourcen
| Marke | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | DMC1018UPD-13 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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DMC1018UPD-13 Technische Daten
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| FET-Typ | N and P-Channel |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V, 20V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 9.5A, 6.9A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17mOhm @ 11.8A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30.4nC @ 8V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1525pF @ 6V |
| Leistung - max | 2.3W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-PowerTDFN |
| Lieferantengerätepaket | PowerDI5060-8 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 2.9A, 3.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs 80mOhm @ 2.9A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.3nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 165pF @ 10V Leistung - max 1.1W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SMD, Flat Lead Lieferantengerätepaket ChipFET™ |
