DMC1028UFDB-7
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| Teilenummer | DMC1028UFDB-7 |
| PNEDA Teilenummer | DMC1028UFDB-7 |
| Beschreibung | MOSFET N/P-CH 12V/20V 6UDFN |
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 120.420 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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DMC1028UFDB-7 Ressourcen
| Marke | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | DMC1028UFDB-7 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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DMC1028UFDB-7 Technische Daten
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Serie | - |
| FET-Typ | N and P-Channel |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V, 20V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 6A, 3.4A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 5.2A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18.5nC @ 8V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 787pF @ 6V |
| Leistung - max | 1.36W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-UDFN Exposed Pad |
| Lieferantengerätepaket | U-DFN2020-6 (Type B) |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ - FET-Funktion - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Nexperia USA Inc. Serie - FET-Typ N and P-Channel Complementary FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 590mA (Ta), 410mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 670mOhm @ 590mA, 4.5V, 1.4Ohm @ 410mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 950mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.05nC @ 4.5V, 1.2nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 30.3pF @ 15V, 43.2pF @ 15V Leistung - max 285mW (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-XFDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket DFN1010B-6 |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV) Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 34A Rds On (Max) @ Id, Vgs 348mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 374nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 10300pF @ 25V Leistung - max 780W Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SP4 Lieferantengerätepaket SP4 |
Hersteller Infineon Technologies Serie OptiMOS™ FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 55V, 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 40A Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 40µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 123nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6100pF @ 25V Leistung - max 69W, 96W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-220-5 Lieferantengerätepaket PG-TO220-5-13 |
Hersteller Rohm Semiconductor Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Half Bridge) FET-Funktion Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV) Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id 2.7V @ 22mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 14000pF @ 10V Leistung - max 780W Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp - Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket Module |
