DMC1229UFDB-13
Nur als Referenz
| Teilenummer | DMC1229UFDB-13 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | DMC1229UFDB-13 | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | MOSFET N/P-CH 12V U-DFN2020-6 | ||||||||||||||||||
| Hersteller | Diodes Incorporated | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 2.464 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
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DMC1229UFDB-13 Ressourcen
| Marke | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | DMC1229UFDB-13 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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DMC1229UFDB-13 Technische Daten
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Serie | - |
| FET-Typ | N and P-Channel |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 5.6A, 3.8A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 29mOhm @ 5A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19.6nC @ 8V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 914pF @ 6V |
| Leistung - max | 1.4W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-UDFN Exposed Pad |
| Lieferantengerätepaket | U-DFN2020-6 (Type B) |
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Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 6A Rds On (Max) @ Id, Vgs 39mOhm @ 4.4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 520pF @ 10V Leistung - max 8.3W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall PowerPAK® ChipFET™ Dual Lieferantengerätepaket PowerPAK® ChipFet Dual |
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Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 6A Rds On (Max) @ Id, Vgs 36mOhm @ 6.1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.8V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17.5nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 660pF @ 10V Leistung - max 10.4W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall PowerPAK® ChipFET™ Dual Lieferantengerätepaket PowerPAK® ChipFet Dual |
