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DMN1002UCA6-7

DMN1002UCA6-7

Nur als Referenz

Teilenummer DMN1002UCA6-7
PNEDA Teilenummer DMN1002UCA6-7
Beschreibung MOSFETN-CHAN 12V X4-DSN3118-6
Hersteller Diodes Incorporated
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Auf Lager 2.754
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 13 - Nov 18 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

DMN1002UCA6-7 Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDMN1002UCA6-7
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
DMN1002UCA6-7, DMN1002UCA6-7 Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 453,81 KB)
PDFDMN1002UCA6-7 Datenblatt Cover
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DMN1002UCA6-7 Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
Serie-
FET-Typ2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)-
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.-
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs68.6nC @ 4V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds-
Leistung - max1.1W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall6-SMD, No Lead
LieferantengerätepaketX4-DSN3118-6

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Renesas Electronics America

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FET-Typ

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Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

100mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.7Ohm @ 100mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

20pF @ 10V

Leistung - max

200mW (Ta)

Betriebstemperatur

150°C

Montagetyp

Surface Mount

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FET-Typ

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FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

36mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

800mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11.3nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

632pF @ 10V

Leistung - max

3.1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SMD, Flat Lead

Lieferantengerätepaket

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Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

750mA, 600mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

550mOhm @ 540mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

150pF @ 16V

Leistung - max

500mW

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-SMD, No Lead

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Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

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FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3A (Ta), 2A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

112mOhm @ 3A, 10V, 210mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA, 3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4nC, 7.2nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

270pF, 750pF @ 10V

Leistung - max

1.1W (Ta)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SMD, Flat Lead

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Serie

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FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

70mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

40nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2500pF @ 10V

Leistung - max

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