Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

DMN1054UCB4-7

DMN1054UCB4-7

Nur als Referenz

Teilenummer DMN1054UCB4-7
PNEDA Teilenummer DMN1054UCB4-7
Beschreibung MOSFET N-CH 8V 2.7A X1-WLB0808-4
Hersteller Diodes Incorporated
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 27.978
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jul 8 - Jul 13 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

DMN1054UCB4-7 Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDMN1054UCB4-7
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
DMN1054UCB4-7, DMN1054UCB4-7 Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 344,62 KB)
PDFDMN1054UCB4-7 Datenblatt Cover
DMN1054UCB4-7 Datenblatt Seite 2 DMN1054UCB4-7 Datenblatt Seite 3 DMN1054UCB4-7 Datenblatt Seite 4 DMN1054UCB4-7 Datenblatt Seite 5 DMN1054UCB4-7 Datenblatt Seite 6 DMN1054UCB4-7 Datenblatt Seite 7

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • DMN1054UCB4-7 Datasheet
  • where to find DMN1054UCB4-7
  • Diodes Incorporated

  • Diodes Incorporated DMN1054UCB4-7
  • DMN1054UCB4-7 PDF Datasheet
  • DMN1054UCB4-7 Stock

  • DMN1054UCB4-7 Pinout
  • Datasheet DMN1054UCB4-7
  • DMN1054UCB4-7 Supplier

  • Diodes Incorporated Distributor
  • DMN1054UCB4-7 Price
  • DMN1054UCB4-7 Distributor

DMN1054UCB4-7 Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)8V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.2.7A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs42mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id700mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15nC @ 4.5V
Vgs (Max)±5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds908pF @ 6V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)740mW (Ta)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketX1-WLB0808-4
Paket / Fall4-XFBGA, WLBGA

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

IRFZ48NLPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

55V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

64A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

14mOhm @ 32A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

81nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1970pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.8W (Ta), 130W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-262

Paket / Fall

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

SI4628DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

SkyFET®, TrenchFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

38A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

87nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3450pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.5W (Ta), 7.8W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-SO

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

IPI120N04S4-01M

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

FET-Typ

-

Technologie

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Lieferantengerätepaket

-

Paket / Fall

-

RJL6013DPE-00#J3

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

11A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

810mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

38nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1400pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

100W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

4-LDPAK

Paket / Fall

SC-83

FDPF20N50T

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

UniFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

20A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

230mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

59.5nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3120pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

38.5W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220F

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Kürzlich verkauft

7A-8.000MBBK-T

7A-8.000MBBK-T

TXC

CRYSTAL 8.0000MHZ 20PF SMD

MAX9100EUK+T

MAX9100EUK+T

Maxim Integrated

IC COMPARATOR R-R SOT23-5

CBC3225T220KR

CBC3225T220KR

Taiyo Yuden

FIXED IND 22UH 780MA 351 MOHM

MP1584EN-LF-Z

MP1584EN-LF-Z

Monolithic Power Systems Inc.

IC REG BUCK ADJUSTABLE 3A 8SOIC

FSAM30SH60A

FSAM30SH60A

ON Semiconductor

SMART POWER MODULE 30A SPM32-AA

LIS3MDLTR

LIS3MDLTR

STMicroelectronics

SENSOR MR I2C/SPI 12LGA

BZV55C15-TP

BZV55C15-TP

Micro Commercial Co

DIODE ZENER 15V 500MW MINIMELF

EPM1270F256I5N

EPM1270F256I5N

Intel

IC CPLD 980MC 6.2NS 256FBGA

MAX6369KA-T

MAX6369KA-T

Maxim Integrated

IC WATCHDOG TIMER SOT23-8

CTX01-15473

CTX01-15473

Eaton - Electronics Division

FIXED INDUCTOR

LTC3780EG#PBF

LTC3780EG#PBF

Linear Technology/Analog Devices

IC REG CTRLR BUCK-BOOST 24SSOP

AD694ARZ-REEL

AD694ARZ-REEL

Analog Devices

IC TRANSMITTER 4-20MA 16-SOIC