DMN2013UFX-7
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| Teilenummer | DMN2013UFX-7 |
| PNEDA Teilenummer | DMN2013UFX-7 |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN |
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.718 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 28 - Jul 3 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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DMN2013UFX-7 Ressourcen
| Marke | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | DMN2013UFX-7 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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DMN2013UFX-7 Technische Daten
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 10A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.5mOhm @ 8.5A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 57.4nC @ 8V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2607pF @ 10V |
| Leistung - max | 2.14W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-VFDFN Exposed Pad |
| Lieferantengerätepaket | W-DFN5020-6 |
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