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DMN3025LFDF-7

DMN3025LFDF-7

Nur als Referenz

Teilenummer DMN3025LFDF-7
PNEDA Teilenummer DMN3025LFDF-7
Beschreibung MOSFET N-CH 30V 9.9A UDFN2020-6
Hersteller Diodes Incorporated
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Auf Lager 2.160
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

DMN3025LFDF-7 Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDMN3025LFDF-7
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
DMN3025LFDF-7, DMN3025LFDF-7 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 347,9 KB)
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DMN3025LFDF-7 Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.9.9A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs20.5mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs13.2nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds641pF @ 15V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)2.1W (Ta)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketU-DFN2020-6 (Type F)
Paket / Fall6-UDFN Exposed Pad

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Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.2nC @ 4.5V

Vgs (Max)

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

400mW

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

4-WLCSP (2x2)

Paket / Fall

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7.3A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

30mOhm @ 7.3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1645pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.4W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

6-MicroFET (2x2)

Paket / Fall

6-VDFN Exposed Pad

FDP120N10

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

74A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12mOhm @ 74A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

86nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5605pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

170W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

Paket / Fall

TO-220-3

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

340mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.9Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

±15V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

40pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

830mW (Ta)

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

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Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

320mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 2.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

560nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

18200pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

960W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

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