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DMN3055LFDB-7

DMN3055LFDB-7

Nur als Referenz

Teilenummer DMN3055LFDB-7
PNEDA Teilenummer DMN3055LFDB-7
Beschreibung MOSFET 2 N-CH 5A UDFN2020-6
Hersteller Diodes Incorporated
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Auf Lager 8.640
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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DMN3055LFDB-7 Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDMN3055LFDB-7
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
DMN3055LFDB-7, DMN3055LFDB-7 Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 343,81 KB)
PDFDMN3055LFDB-7 Datenblatt Cover
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DMN3055LFDB-7 Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
Serie-
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)-
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs40mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5.3nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds458pF @ 15V
Leistung - max-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall6-UDFN Exposed Pad
LieferantengerätepaketU-DFN2020-6 (Type B)

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ON Semiconductor

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FET-Typ

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FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

23mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

635pF @ 15V

Leistung - max

1.6W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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8-SOIC

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Hersteller

Advanced Linear Devices Inc.

Serie

-

FET-Typ

2 P-Channel (Dual) Matched Pair

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

10.6V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

270Ohm @ 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 10µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

10pF @ 5V

Leistung - max

500mW

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

8-PDIP

DMG1023UV-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.03A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

750mOhm @ 430mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.62nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

59.76pF @ 16V

Leistung - max

530mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-563, SOT-666

Lieferantengerätepaket

SOT-563

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Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

36mOhm @ 5.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1.1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

FDG6318P

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

500mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

780mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.2nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

83pF @ 10V

Leistung - max

300mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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