DMN32D2LV-7
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| Teilenummer | DMN32D2LV-7 |
| PNEDA Teilenummer | DMN32D2LV-7 |
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT-563 |
| Stückpreis |
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DMN32D2LV-7 Ressourcen
| Marke | Diodes Incorporated |
| Mfr. Artikelnummer | DMN32D2LV-7 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
DMN32D2LV-7 Technische Daten
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Serie | - |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 400mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 100mA, 4V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 39pF @ 3V |
| Leistung - max | 400mW |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SOT-563, SOT-666 |
| Lieferantengerätepaket | SOT-563 |
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Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ - FET-Funktion - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
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