Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

DMN6022SSS-13

DMN6022SSS-13

Nur als Referenz

Teilenummer DMN6022SSS-13
PNEDA Teilenummer DMN6022SSS-13
Beschreibung MOSFET BVDSS: 41V-60V SO-8
Hersteller Diodes Incorporated
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 3.060
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jun 3 - Jun 8 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

DMN6022SSS-13 Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDMN6022SSS-13
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
DMN6022SSS-13, DMN6022SSS-13 Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 487,55 KB)
PDFDMN6022SSS-13 Datenblatt Cover
DMN6022SSS-13 Datenblatt Seite 2 DMN6022SSS-13 Datenblatt Seite 3 DMN6022SSS-13 Datenblatt Seite 4 DMN6022SSS-13 Datenblatt Seite 5 DMN6022SSS-13 Datenblatt Seite 6 DMN6022SSS-13 Datenblatt Seite 7

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • DMN6022SSS-13 Datasheet
  • where to find DMN6022SSS-13
  • Diodes Incorporated

  • Diodes Incorporated DMN6022SSS-13
  • DMN6022SSS-13 PDF Datasheet
  • DMN6022SSS-13 Stock

  • DMN6022SSS-13 Pinout
  • Datasheet DMN6022SSS-13
  • DMN6022SSS-13 Supplier

  • Diodes Incorporated Distributor
  • DMN6022SSS-13 Price
  • DMN6022SSS-13 Distributor

DMN6022SSS-13 Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
Serie*
FET-Typ-
FET-Funktion-
Drain to Source Voltage (Vdss)-
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.-
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds-
Leistung - max-
Betriebstemperatur-
Montagetyp-
Paket / Fall-
Lieferantengerätepaket-

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

SI5975DC-T1-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

12V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

86mOhm @ 3.1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

450mV @ 1mA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1.1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SMD, Flat Lead

Lieferantengerätepaket

1206-8 ChipFET™

SI5504DC-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.9A, 2.1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

85mOhm @ 2.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.5nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1.1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SMD, Flat Lead

Lieferantengerätepaket

1206-8 ChipFET™

IRF7105TRPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

25V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.5A, 2.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100mOhm @ 1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

27nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

330pF @ 15V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

IRF7755TRPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

51mOhm @ 3.7A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1090pF @ 15V

Leistung - max

1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-TSSOP

AON2801L

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

120mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.5nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

700pF @ 10V

Leistung - max

1.5W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-WDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

6-DFN (2x2)

Kürzlich verkauft

SRF1280-2R2Y

SRF1280-2R2Y

Bourns

INDUCT ARRAY 2 COIL 2.2UH SMD

MT47H64M16NF-25E AIT:M

MT47H64M16NF-25E AIT:M

Micron Technology Inc.

IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA

R5F1076CGSP#X0

R5F1076CGSP#X0

Renesas Electronics America

IC MCU 16BIT 32KB FLASH 20LSSOP

CY29942AI

CY29942AI

Cypress Semiconductor

IC CLK BUFFER 1:18 200MHZ 32TQFP

MTFC8GLWDQ-3M AIT Z TR

MTFC8GLWDQ-3M AIT Z TR

Micron Technology Inc.

IC FLASH 64G MMC 100LBGA

VN610SP-E

VN610SP-E

STMicroelectronics

RELAY SSR HI-SIDE 1CH POWERSO10

SMF6.0A

SMF6.0A

Littelfuse

TVS DIODE 6V 10.3V SOD123F

NCP1055ST100T3G

NCP1055ST100T3G

ON Semiconductor

IC CONV PWM UVLO HV SOT223-4

DS1230Y-150

DS1230Y-150

Maxim Integrated

IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP

824022

824022

Wurth Electronics

TVS DIODE 5V 8V SOT23-3L

74477810

74477810

Wurth Electronics

SMT SHIELDED POWER INDUCTOR SIZE

4608X-102-471LF

4608X-102-471LF

Bourns

RES ARRAY 4 RES 470 OHM 8SIP