DMN6040SVTQ-13
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| Teilenummer | DMN6040SVTQ-13 |
| PNEDA Teilenummer | DMN6040SVTQ-13 |
| Beschreibung | MOSFET NCH 60V 5A TSOT26 |
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.322 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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DMN6040SVTQ-13 Ressourcen
| Marke | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | DMN6040SVTQ-13 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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DMN6040SVTQ-13 Technische Daten
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 5A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 44mOhm @ 4.3A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22.4nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1287pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 1.2W (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | TSOT-26 |
| Paket / Fall | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
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Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 6A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 4.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32nC @ 10V Vgs (Max) ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 950pF @ 15V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 2.5W (Ta), 6.25W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 1206-8 ChipFET™ Paket / Fall 8-SMD, Flat Lead |
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