DMN60H3D5SK3-13
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| Teilenummer | DMN60H3D5SK3-13 |
| PNEDA Teilenummer | DMN60H3D5SK3-13 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 600V 2.8A TO252 |
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.824 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 13 - Mai 18 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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DMN60H3D5SK3-13 Ressourcen
| Marke | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | DMN60H3D5SK3-13 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
DMN60H3D5SK3-13, DMN60H3D5SK3-13 Datenblatt
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DMN60H3D5SK3-13 Technische Daten
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 2.8A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5Ohm @ 1.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12.6nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 354pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 41W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | TO-252, (D-Pak) |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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Hersteller Diodes Incorporated Serie Automotive, AEC-Q101 FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 80A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOhm @ 15A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 124nC @ 8V Vgs (Max) ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6334pF @ 10V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 3.2W Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket PowerDI5060-8 Paket / Fall 8-PowerTDFN |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 8.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 9.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 47.5nC @ 5V Vgs (Max) ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4234pF @ 20V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 1.3W (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket PowerDI5060-8 Paket / Fall 8-PowerTDFN |
Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 55A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 16.5mOhm @ 31A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 67nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1812pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 115W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket D2PAK Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Hersteller Vishay Siliconix Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 60A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 55nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2700pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 48W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8 Paket / Fall PowerPAK® SO-8 |
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