Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

DMP1011UCB9-7

DMP1011UCB9-7

Nur als Referenz

Teilenummer DMP1011UCB9-7
PNEDA Teilenummer DMP1011UCB9-7
Beschreibung MOSFET P-CH 8V 10A U-WLB1515-9
Hersteller Diodes Incorporated
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 22.416
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 16 - Mai 21 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

DMP1011UCB9-7 Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDMP1011UCB9-7
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • DMP1011UCB9-7 Datasheet
  • where to find DMP1011UCB9-7
  • Diodes Incorporated

  • Diodes Incorporated DMP1011UCB9-7
  • DMP1011UCB9-7 PDF Datasheet
  • DMP1011UCB9-7 Stock

  • DMP1011UCB9-7 Pinout
  • Datasheet DMP1011UCB9-7
  • DMP1011UCB9-7 Supplier

  • Diodes Incorporated Distributor
  • DMP1011UCB9-7 Price
  • DMP1011UCB9-7 Distributor

DMP1011UCB9-7 Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
Serie-
FET-TypP-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)8V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.10A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs10mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10.5nC @ 4.5V
Vgs (Max)-6V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1060pF @ 4V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)890mW (Ta)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketU-WLB1515-9
Paket / Fall9-UFBGA, WLBGA

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

SK8603190L

Panasonic Electronic Components

Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

12A (Ta), 19A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 1.01mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.3nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1092pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.7W (Ta), 19W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

HSO8-F4-B

Paket / Fall

8-PowerSMD, Flat Leads

AUIRFU4292

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

250V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

9.3A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

345mOhm @ 5.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 50µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

705pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

100W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

I-PAK

Paket / Fall

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Hersteller

IXYS

Serie

PolarHV™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.4A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.75Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5.5V @ 25µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.1nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

240pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

55W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Paket / Fall

TO-220-3

TPHR9003NL,L1Q

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

U-MOSVIII-H

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

60A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

0.9mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

74nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

6900pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.6W (Ta), 78W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-SOP Advance (5x5)

Paket / Fall

8-PowerVDFN

BSS138W E6433

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

SIPMOS®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

280mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.5Ohm @ 220mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.4V @ 26µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.5nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

43pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

500mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PG-SOT323-3

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Kürzlich verkauft

LPC1788FBD208,551

LPC1788FBD208,551

NXP

IC MCU 32BIT 512KB FLASH 208LQFP

ATMEGA16-16AC

ATMEGA16-16AC

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 16KB FLASH 44TQFP

MAX14780EESA+T

MAX14780EESA+T

Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER HALF 1/1 8SOIC

S3A-13-F

S3A-13-F

Diodes Incorporated

DIODE GEN PURP 50V 3A SMC

LTST-C150TBKT

LTST-C150TBKT

Lite-On Inc.

LED BLUE CLEAR 1206 SMD

NAU7802SGI

NAU7802SGI

Nuvoton Technology

IC ADC 24BIT SIGMA-DELTA 16SOP

SRV05-4.TCT

SRV05-4.TCT

Semtech

TVS DIODE 5V 17.5V SOT23-6

BZV49-C18,115

BZV49-C18,115

Nexperia

DIODE ZENER 18V 1W SOT89

XC7VX690T-2FFG1761I

XC7VX690T-2FFG1761I

Xilinx

IC FPGA 850 I/O 1761FCBGA

MM74C923WM

MM74C923WM

ON Semiconductor

IC ENCODER 20-KEY 20-SOIC

AD8051ARTZ-REEL7

AD8051ARTZ-REEL7

Analog Devices

IC OPAMP VFB 1 CIRCUIT SOT23-5

0452007.MRL

0452007.MRL

Littelfuse

FUSE BRD MNT 7A 72VAC 60VDC 2SMD