Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

DMP2035U-7

DMP2035U-7

Nur als Referenz

Teilenummer DMP2035U-7
PNEDA Teilenummer DMP2035U-7
Beschreibung MOSFET P-CH 20V 3.6A SOT-23
Hersteller Diodes Incorporated
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 4.415.754
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jul 19 - Jul 24 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

DMP2035U-7 Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDMP2035U-7
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
DMP2035U-7, DMP2035U-7 Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 289,59 KB)
PDFDMP2035U-7 Datenblatt Cover
DMP2035U-7 Datenblatt Seite 2 DMP2035U-7 Datenblatt Seite 3 DMP2035U-7 Datenblatt Seite 4 DMP2035U-7 Datenblatt Seite 5 DMP2035U-7 Datenblatt Seite 6 DMP2035U-7 Datenblatt Seite 7

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • DMP2035U-7 Datasheet
  • where to find DMP2035U-7
  • Diodes Incorporated

  • Diodes Incorporated DMP2035U-7
  • DMP2035U-7 PDF Datasheet
  • DMP2035U-7 Stock

  • DMP2035U-7 Pinout
  • Datasheet DMP2035U-7
  • DMP2035U-7 Supplier

  • Diodes Incorporated Distributor
  • DMP2035U-7 Price
  • DMP2035U-7 Distributor

DMP2035U-7 Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
Serie-
FET-TypP-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.3.6A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs35mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15.4nC @ 4.5V
Vgs (Max)±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1610pF @ 10V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)810mW (Ta)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketSOT-23-3
Paket / FallTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

IRL520NSTRR

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

10A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

180mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 5V

Vgs (Max)

±16V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

440pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.8W (Ta), 48W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IXTA2N80P

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

PolarHV™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

800V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6Ohm @ 1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5.5V @ 50µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10.6nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

440pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

70W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-263 (IXTA)

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

SI7366DP-T1-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

13A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.5mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.7W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® SO-8

Paket / Fall

PowerPAK® SO-8

SUP85N02-03-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

85A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3mOhm @ 30A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

450mV @ 2mA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

200nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

21250pF @ 20V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

250W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Paket / Fall

TO-220-3

PSMN041-80YLX

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

80V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

25A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

41mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

21.9nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1108pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

64W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

LFPAK56, Power-SO8

Paket / Fall

SC-100, SOT-669

Kürzlich verkauft

SI1308EDL-T1-GE3

SI1308EDL-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT323

MF-R090

MF-R090

Bourns

PTC RESET FUSE 60V 900MA RADIAL

NTCS0603E3103FMT

NTCS0603E3103FMT

Vishay BC Components

THERMISTOR NTC 10KOHM 3610K 0603

HCPL-0601

HCPL-0601

Broadcom

OPTOISO 3.75KV OPN COLLECTOR 8SO

MIC5235-3.3YM5-TR

MIC5235-3.3YM5-TR

Microchip Technology

IC REG LINEAR 3.3V 150MA SOT23-5

PKGS-00LDP1-R

PKGS-00LDP1-R

Murata Electronics

SENSOR SHOCK 50G PIEZO FILM

HSMS-A100-J00J1

HSMS-A100-J00J1

Broadcom

LED RED CLEAR 2PLCC SMD

AOZ8808DI-05

AOZ8808DI-05

Alpha & Omega Semiconductor

TVS DIODE 5V 9V 10DFN

FP25R12KE3BOSA1

FP25R12KE3BOSA1

Infineon Technologies

IGBT MODULE 1200V 25A

MBR140SFT1

MBR140SFT1

ON Semiconductor

DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD123L

DSPIC30F4011-30I/PT

DSPIC30F4011-30I/PT

Microchip Technology

IC MCU 16BIT 48KB FLASH 44TQFP

AUIPS2031R

AUIPS2031R

Infineon Technologies

IC SW IPS 1CH LOW SIDE DPAK