Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

DMP21D0UFB-7

DMP21D0UFB-7

Nur als Referenz

Teilenummer DMP21D0UFB-7
PNEDA Teilenummer DMP21D0UFB-7
Beschreibung MOSFET P-CH 20V 0.77A DFN1006-3
Hersteller Diodes Incorporated
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 7.974
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 25 - Mai 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

DMP21D0UFB-7 Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDMP21D0UFB-7
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
DMP21D0UFB-7, DMP21D0UFB-7 Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 403,17 KB)
PDFDMP21D0UFB-7 Datenblatt Cover
DMP21D0UFB-7 Datenblatt Seite 2 DMP21D0UFB-7 Datenblatt Seite 3 DMP21D0UFB-7 Datenblatt Seite 4 DMP21D0UFB-7 Datenblatt Seite 5 DMP21D0UFB-7 Datenblatt Seite 6 DMP21D0UFB-7 Datenblatt Seite 7

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • DMP21D0UFB-7 Datasheet
  • where to find DMP21D0UFB-7
  • Diodes Incorporated

  • Diodes Incorporated DMP21D0UFB-7
  • DMP21D0UFB-7 PDF Datasheet
  • DMP21D0UFB-7 Stock

  • DMP21D0UFB-7 Pinout
  • Datasheet DMP21D0UFB-7
  • DMP21D0UFB-7 Supplier

  • Diodes Incorporated Distributor
  • DMP21D0UFB-7 Price
  • DMP21D0UFB-7 Distributor

DMP21D0UFB-7 Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
Serie-
FET-TypP-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.770mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs495mOhm @ 400mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id700mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.5nC @ 8V
Vgs (Max)±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds76.5pF @ 10V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)430mW (Ta)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Lieferantengerätepaket3-DFN1006 (1.0x0.6)
Paket / Fall3-UFDFN

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

FDPF8N50NZT

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

UniFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

850mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 10V

Vgs (Max)

±25V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7360pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

40.3W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220F

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

DMP2035UFDF-13

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8.1A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

29mOhm @ 6.4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20.5nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1808pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.03W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

U-DFN2020-6 (Type F)

Paket / Fall

6-UDFN Exposed Pad

IXFN24N100F

IXYS-RF

Hersteller

IXYS-RF

Serie

HiPerRF™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1000V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

24A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

390mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5.5V @ 8mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

195nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

6600pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

600W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-227B

Paket / Fall

SOT-227-4, miniBLOC

IPB60R360P7ATMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™ P7

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

9A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

360mOhm @ 2.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 140µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

555pF @ 400V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

41W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D²PAK (TO-263AB)

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IRF2807ZSTRL

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

75V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

75A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.4mOhm @ 53A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

110nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3270pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

170W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Kürzlich verkauft

XC7VX690T-2FFG1761I

XC7VX690T-2FFG1761I

Xilinx

IC FPGA 850 I/O 1761FCBGA

LTC2870IFE#PBF

LTC2870IFE#PBF

Linear Technology/Analog Devices

IC TRANSCEIVER FULL 2/2 28TSSOP

UCLAMP3301D.TCT

UCLAMP3301D.TCT

Semtech

TVS DIODE 3.3V 9.5V SOD323

MC9S12HZ256VAL

MC9S12HZ256VAL

NXP

IC MCU 16BIT 256KB FLASH 112LQFP

ERJ-M1WSJ15MU

ERJ-M1WSJ15MU

Panasonic Electronic Components

RES 0.015 OHM 5% 1W 2512

CNY17-4X007T

CNY17-4X007T

Vishay Semiconductor Opto Division

OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6SMD

3296W-1-103LF

3296W-1-103LF

Bourns

TRIMMER 10K OHM 0.5W PC PIN TOP

LTC1564IG#TRPBF

LTC1564IG#TRPBF

Linear Technology/Analog Devices

IC FILTR 150KHZ ANTIALIAS 16SSOP

SRN6045TA-470M

SRN6045TA-470M

Bourns

FIXED IND 47UH 1.6A 200 MOHM SMD

MP5505AGL-Z

MP5505AGL-Z

Monolithic Power Systems Inc.

IC REG BOOST 7V 4A

74LCX574MTCX

74LCX574MTCX

ON Semiconductor

IC FF D-TYPE SNGL 8BIT 20TSSOP

WSL25122L000FEA

WSL25122L000FEA

Vishay Dale

RES 0.002 OHM 1% 1W 2512