Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

DMP3164LVT-7

DMP3164LVT-7

Nur als Referenz

Teilenummer DMP3164LVT-7
PNEDA Teilenummer DMP3164LVT-7
Beschreibung MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26
Hersteller Diodes Incorporated
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 2.520
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 15 - Mai 20 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

DMP3164LVT-7 Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDMP3164LVT-7
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
DMP3164LVT-7, DMP3164LVT-7 Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 431,57 KB)
PDFDMP3164LVT-7 Datenblatt Cover
DMP3164LVT-7 Datenblatt Seite 2 DMP3164LVT-7 Datenblatt Seite 3 DMP3164LVT-7 Datenblatt Seite 4 DMP3164LVT-7 Datenblatt Seite 5 DMP3164LVT-7 Datenblatt Seite 6 DMP3164LVT-7 Datenblatt Seite 7

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • DMP3164LVT-7 Datasheet
  • where to find DMP3164LVT-7
  • Diodes Incorporated

  • Diodes Incorporated DMP3164LVT-7
  • DMP3164LVT-7 PDF Datasheet
  • DMP3164LVT-7 Stock

  • DMP3164LVT-7 Pinout
  • Datasheet DMP3164LVT-7
  • DMP3164LVT-7 Supplier

  • Diodes Incorporated Distributor
  • DMP3164LVT-7 Price
  • DMP3164LVT-7 Distributor

DMP3164LVT-7 Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
Serie*
FET-Typ-
Technologie-
Drain to Source Voltage (Vdss)-
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Vgs (Max)-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds-
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)-
Betriebstemperatur-
Montagetyp-
Lieferantengerätepaket-
Paket / Fall-

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

IRF7433TRPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

12V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8.9A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

24mOhm @ 8.7A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

900mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1877pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.5W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-SO

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

IRF6722STR1PBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

13A (Ta), 58A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.3mOhm @ 13A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 50µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1320pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.2W (Ta), 42W (Tc)

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

DIRECTFET™ ST

Paket / Fall

DirectFET™ Isometric ST

IRF7466TR

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

11A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12.5mOhm @ 11A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

23nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2100pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.5W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-SO

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

ZVN4210ASTOA

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

450mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.5Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

100pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

700mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

E-Line (TO-92 compatible)

Paket / Fall

E-Line-3

Hersteller

IXYS

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

650V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

12A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

300mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1100pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

180W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

Paket / Fall

TO-247-3

Kürzlich verkauft

AD1580ART-REEL

AD1580ART-REEL

Analog Devices

IC VREF SHUNT 1.225V SOT23

SMBJ15A-13-F

SMBJ15A-13-F

Diodes Incorporated

TVS DIODE 15V 24.4V SMB

SI9706DY-T1-E3

SI9706DY-T1-E3

Vishay Siliconix

IC PCMCIA INTFACE SW 8SO

AD8044ARZ-14

AD8044ARZ-14

Analog Devices

IC OPAMP VFB 4 CIRCUIT 14SOIC

AS5047P-ATSM

AS5047P-ATSM

ams

ROTARY ENCODER MAGNETIC PROG

EPM7128STC100-15N

EPM7128STC100-15N

Intel

IC CPLD 128MC 15NS 100TQFP

2SA1037AKT146R

2SA1037AKT146R

Rohm Semiconductor

TRANS PNP 50V 0.15A SOT-346

NPT1012B

NPT1012B

M/A-Com Technology Solutions

HEMT N-CH 28V 25W DC-4000MHZ

MCP1725T-3302E/MC

MCP1725T-3302E/MC

Microchip Technology

IC REG LINEAR 3.3V 500MA 8DFN

744770122

744770122

Wurth Electronics

FIXED IND 22UH 4.1A 43 MOHM SMD

ADA4528-2ARMZ

ADA4528-2ARMZ

Analog Devices

IC OPAMP ZERO-DRIFT 2 CIRC 8MSOP

TC4426AEOA

TC4426AEOA

Microchip Technology

IC MOSFET DVR 1.5A DUAL HS 8SOIC