DMT3009LFVWQ-13
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| Teilenummer | DMT3009LFVWQ-13 |
| PNEDA Teilenummer | DMT3009LFVWQ-13 |
| Beschreibung | MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333 |
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.914 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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DMT3009LFVWQ-13 Ressourcen
| Marke | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | DMT3009LFVWQ-13 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
DMT3009LFVWQ-13, DMT3009LFVWQ-13 Datenblatt
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DMT3009LFVWQ-13 Technische Daten
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 12A (Ta), 50A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 3.8V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11mOhm @ 14.4A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 823pF @ 15V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 2.3W (Ta), 35.7W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount, Wettable Flank |
| Lieferantengerätepaket | PowerDI3333-8 (SWP) Type UX |
| Paket / Fall | 8-PowerVDFN |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 12A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 230mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V Vgs (Max) ±15V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 770pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 60W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220AB Paket / Fall TO-220-3 |
