Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

DMT47M2LDVQ-13

DMT47M2LDVQ-13

Nur als Referenz

Teilenummer DMT47M2LDVQ-13
PNEDA Teilenummer DMT47M2LDVQ-13
Beschreibung MOSFET BVDSS: 31V-40V POWERDI333
Hersteller Diodes Incorporated
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 6.192
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jul 3 - Jul 8 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

DMT47M2LDVQ-13 Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDMT47M2LDVQ-13
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
DMT47M2LDVQ-13, DMT47M2LDVQ-13 Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 486,2 KB)
PDFDMT47M2LDVQ-7 Datenblatt Cover
DMT47M2LDVQ-7 Datenblatt Seite 2 DMT47M2LDVQ-7 Datenblatt Seite 3 DMT47M2LDVQ-7 Datenblatt Seite 4 DMT47M2LDVQ-7 Datenblatt Seite 5 DMT47M2LDVQ-7 Datenblatt Seite 6 DMT47M2LDVQ-7 Datenblatt Seite 7

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • DMT47M2LDVQ-13 Datasheet
  • where to find DMT47M2LDVQ-13
  • Diodes Incorporated

  • Diodes Incorporated DMT47M2LDVQ-13
  • DMT47M2LDVQ-13 PDF Datasheet
  • DMT47M2LDVQ-13 Stock

  • DMT47M2LDVQ-13 Pinout
  • Datasheet DMT47M2LDVQ-13
  • DMT47M2LDVQ-13 Supplier

  • Diodes Incorporated Distributor
  • DMT47M2LDVQ-13 Price
  • DMT47M2LDVQ-13 Distributor

DMT47M2LDVQ-13 Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
Serie*
FET-Typ-
FET-Funktion-
Drain to Source Voltage (Vdss)-
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.-
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds-
Leistung - max-
Betriebstemperatur-
Montagetyp-
Paket / Fall-
Lieferantengerätepaket-

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

ALD110800SCL

Advanced Linear Devices Inc.

Hersteller

Advanced Linear Devices Inc.

Serie

EPAD®, Zero Threshold™

FET-Typ

4 N-Channel, Matched Pair

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

10.6V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

500Ohm @ 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

20mV @ 1µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2.5pF @ 5V

Leistung - max

500mW

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

16-SOIC

SI7236DP-T1-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

60A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.2mOhm @ 20.7A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

105nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4000pF @ 10V

Leistung - max

46W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

PowerPAK® SO-8 Dual

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® SO-8 Dual

APTM50AM38FTG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 7®

FET-Typ

2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

90A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

45mOhm @ 45A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

246nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

11200pF @ 25V

Leistung - max

694W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP4

Lieferantengerätepaket

SP4

SI3588DV-T1-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.5A, 570mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

80mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

450mV @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.5nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

830mW, 83mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Lieferantengerätepaket

6-TSOP

ZXMHC3A01T8TA

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.7A, 2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

120mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.9nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

190pF @ 25V

Leistung - max

1.3W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-223-8

Lieferantengerätepaket

SM8

Kürzlich verkauft

EP3C16F484I7N

EP3C16F484I7N

Intel

IC FPGA 346 I/O 484FBGA

LT3045EDD#PBF

LT3045EDD#PBF

Linear Technology/Analog Devices

IC REG LINEAR 0V 500MA 10DFN

UVR1E101MED1TA

UVR1E101MED1TA

Nichicon

CAP ALUM 100UF 20% 25V RADIAL

LTC3774EUHE#PBF

LTC3774EUHE#PBF

Linear Technology/Analog Devices

IC REG CTRLR BUCK 36QFN

TEFT4300

TEFT4300

Vishay Semiconductor Opto Division

SENSOR PHOTO 925NM TOP VIEW RAD

BLM18PG121SN1D

BLM18PG121SN1D

Murata

FERRITE BEAD 120 OHM 0603 1LN

CS5173EDR8G

CS5173EDR8G

ON Semiconductor

IC REG MULT CONFG ADJ 1.5A 8SOIC

MBT3904DW1T1G

MBT3904DW1T1G

ON Semiconductor

TRANS 2NPN 40V 0.2A SC88

20IMX35D12D12-8G

20IMX35D12D12-8G

Bel Power Solutions

DC DC CONVERTER 12V 12V 12V 35W

SMBJ16A

SMBJ16A

Taiwan Semiconductor Corporation

TVS DIODE 16V 26V DO214AA

MADL-011021-14150T

MADL-011021-14150T

M/A-Com Technology Solutions

RF DIODE PIN 6TDFN

H22A4

H22A4

ON Semiconductor

SENSOR OPT SLOT PHOTOTRAN PC PIN