DMT6018LDR-7
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| Teilenummer | DMT6018LDR-7 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | DMT6018LDR-7 | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | MOSFET BVDSS: 41V 60V V-DFN3030- | ||||||||||||||||||
| Hersteller | Diodes Incorporated | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 202 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Jul 9 - Jul 14 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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DMT6018LDR-7 Ressourcen
| Marke | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | DMT6018LDR-7 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
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DMT6018LDR-7 Technische Daten
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Serie | - |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 8.8A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17mOhm @ 8.2A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13.9nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 869pF @ 30V |
| Leistung - max | 1.9W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-PowerVDFN |
| Lieferantengerätepaket | V-DFN3030-8 |
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Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 2.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs 85mOhm @ 2.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24.2nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1021pF @ 30V Leistung - max 1.81W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
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Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 6.6A Rds On (Max) @ Id, Vgs 16.5mOhm @ 8.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max 1.1W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
Hersteller Diodes Incorporated Serie Automotive, AEC-Q101 FET-Typ 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 24V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id 1.3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 37nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3333pF @ 10V Leistung - max 1.45W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 4-XFBGA, WLBGA Lieferantengerätepaket X1-WLB1818-4 |
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