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DS2431X-S+

DS2431X-S+

Nur als Referenz

Teilenummer DS2431X-S+
PNEDA Teilenummer DS2431X-S
Beschreibung IC EEPROM 1K 1WIRE 6UCSPR
Hersteller Maxim Integrated
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Auf Lager 15.692
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 6 - Mai 11 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

DS2431X-S+ Ressourcen

Marke Maxim Integrated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDS2431X-S+
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
DS2431X-S+, DS2431X-S+ Datenblatt (Total Pages: 27, Größe: 954,3 KB)
PDFDS2431GB+U Datenblatt Cover
DS2431GB+U Datenblatt Seite 2 DS2431GB+U Datenblatt Seite 3 DS2431GB+U Datenblatt Seite 4 DS2431GB+U Datenblatt Seite 5 DS2431GB+U Datenblatt Seite 6 DS2431GB+U Datenblatt Seite 7 DS2431GB+U Datenblatt Seite 8 DS2431GB+U Datenblatt Seite 9 DS2431GB+U Datenblatt Seite 10 DS2431GB+U Datenblatt Seite 11

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DS2431X-S+ Technische Daten

HerstellerMaxim Integrated
Serie-
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatEEPROM
TechnologieEEPROM
Speichergröße1Kb (256 x 4)
Speicherschnittstelle1-Wire®
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit2µs
Spannung - Versorgung-
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall6-WFBGA, CSPBGA
Lieferantengerätepaket6-UCSPR (1.68x1.68)

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Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

1Mb (64K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

45ns

Zugriffszeit

45ns

Spannung - Versorgung

2.2V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

16Kb (2K x 8)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

400kHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

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Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SGRAM - GDDR6

Speichergröße

16Gb (512M x 32)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

8GHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.31V ~ 1.391V

Betriebstemperatur

0°C ~ 95°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

Speichergröße

18Mb (1M x 18)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

8.5ns

Spannung - Versorgung

2.375V ~ 2.625V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

119-PBGA (14x22)

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Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

-

Speicherformat

-

Technologie

-

Speichergröße

-

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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