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DS2502G+T&R

DS2502G+T&R

Nur als Referenz

Teilenummer DS2502G+T&R
PNEDA Teilenummer DS2502G-T-R
Beschreibung IC EPROM 1K 1WIRE 2SFN
Hersteller Maxim Integrated
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Auf Lager 4.536
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jul 3 - Jul 8 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

DS2502G+T&R Ressourcen

Marke Maxim Integrated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDS2502G+T&R
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
DS2502G+T&R, DS2502G+T&R Datenblatt (Total Pages: 24, Größe: 677,18 KB)
PDFDS2502X1+U Datenblatt Cover
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DS2502G+T&R Technische Daten

HerstellerMaxim Integrated
Serie-
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatEPROM
TechnologieEPROM - OTP
Speichergröße1Kb (128 x 8)
Speicherschnittstelle1-Wire®
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung2.8V ~ 6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall2-SFN
Lieferantengerätepaket2-SFN (6x6)

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Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Speichergröße

144Kb (8K x 18)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

15ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

100-LQFP

Lieferantengerätepaket

100-TQFP (14x14)

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Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

256Kb (32K x 8)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

400kHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

10ms

Zugriffszeit

900ns

Spannung - Versorgung

1.8V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

IS42S16100C1-7TL

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Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM

Speichergröße

16Mb (1M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

143MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

5.5ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

50-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Lieferantengerätepaket

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MT41K256M16V90BWC1

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - DDR3L

Speichergröße

4Gb (256M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.283V ~ 1.45V

Betriebstemperatur

0°C ~ 95°C (TC)

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

GD25LQ128DSIG

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Hersteller

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

128Mb (16M x 8)

Speicherschnittstelle

SPI - Quad I/O

Taktfrequenz

120MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

2.4ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.65V ~ 2V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

Lieferantengerätepaket

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